PUISSANCE emplois en FRANCE
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Fabrication de Transistor Bipolaire à Double Hétérojonction THz sur substrat InP H/F
CNRS -
(DHBT) InP/InGaAs ou InP/GaAsSb sur substrat InP dans le but de faire de l'amplification de puissance entre 200 et 300 GHz... et de puissance à 94 GHz et dans la bande 200-300 GHz. Activités Sur une base existante, l'objectif principal de l'activité...
CNRS -
Villeneuve-d'Ascq, Nord
- - 07 Août 2024(DHBT) InP/InGaAs ou InP/GaAsSb sur substrat InP dans le but de faire de l'amplification de puissance entre 200 et 300 GHz... et de puissance à 94 GHz et dans la bande 200-300 GHz. Activités Sur une base existante, l'objectif principal de l'activité...