PUISSANCE emplois en FRANCE
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Fabrication de Transistor Bipolaire à Double Hétérojonction THz sur substrat InP H/F
CNRS -
(DHBT) InP/InGaAs ou InP/GaAsSb sur substrat InP dans le but de faire de l'amplification de puissance entre 200 et 300 GHz... et de puissance à 94 GHz et dans la bande 200-300 GHz. Activités Sur une base existante, l'objectif principal de l'activité...
CNRS -
Villeneuve-d'Ascq, Nord
- - 18 Nov 2024(DHBT) InP/InGaAs ou InP/GaAsSb sur substrat InP dans le but de faire de l'amplification de puissance entre 200 et 300 GHz... et de puissance à 94 GHz et dans la bande 200-300 GHz. Activités Sur une base existante, l'objectif principal de l'activité...
Offre Poste Ingénieur Recherche - Packaging de sonde active de mesure en bande millimétrique (H/F)
CNRS -
transistors tels que le facteur de bruit et le rendement de puissance pour élaborer la modélisation associée. A ces fréquences...) et les récepteurs de puissance ne sont pour pas disponibles sur le marché ou présentent des caractéristiques variant fortement sur...
CNRS -
Villeneuve-d'Ascq, Nord
- - 17 Nov 2024transistors tels que le facteur de bruit et le rendement de puissance pour élaborer la modélisation associée. A ces fréquences...) et les récepteurs de puissance ne sont pour pas disponibles sur le marché ou présentent des caractéristiques variant fortement sur...
Technologie à base de transistor HEMT-GaN pour des circuits MMIC opérant en bande E (H/F)
CNRS -
comme composants de base pour fabriquer des amplificateurs de puissance MMIC opérant dans la bande E. Contexte de travail Le...
CNRS -
Villeneuve-d'Ascq, Nord
- €2200 per month - 15 Nov 2024comme composants de base pour fabriquer des amplificateurs de puissance MMIC opérant dans la bande E. Contexte de travail Le...